AD8629ARZ 精密放大器 雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引腳 8000Mbps，并且采用三星第五代 10nm 級晶圓代工節點的 Symmetric-Mosaic 架構設計，專門針對 DRAM 產品量身定制。
AD8629ARZ 之家注意到，三星電子內存產品和技術執行副總裁 SangJoon Hwang 在 2023 年底首次宣布新 DDR5 產品時表示：“憑借我們的 12nm 級 32Gb DRAM，我們已經獲得了一種解決方案，可以實現高達 1TB (TB) 的 DRAM 模塊，使我們能夠理想地滿足人工智能 (AI) 和大數據時代對高容量 DRAM 的日益增長的需求。我們將繼續通過差異化的工藝和設計技術開發 DRAM 解決方案，突破內存技術的極限。”
AD8629ARZ 之前使用 16Gb DRAM 制造的 DDR5 128GB DRAM 模塊需要硅通孔 (TSV) 工藝。然而，新的 32Gb DRAM 允許在不使用 TSV 工藝的情況下生產 128GB 模塊，三星表示這將使功耗降低約 10%。對于目前正在與人工智能不斷增長的能源需求作斗爭的數據中心來說，這是一個受歡迎的解決方案。
三星最新的 DDR5 技術允許在單通道配置下以 DDR5-8000 速度創建 32 GB 和 48 GB DIMM，還支持雙通道配置下的 64 GB 和 96 GB DIMM。
AD8629ARZ 規格
產品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: 精密放大器
RoHS: 詳細信息
通道數量: 2 Channel
GBP-增益帶寬產品: 2.5 MHz
SR - 轉換速率 : 1 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 : 1 uV
Ib - 輸入偏流: 100 pA
電源電壓-最大: 5 V, 2.5 V
電源電壓-最小: 2.7 V, 1.35 V
工作電源電流: 1 mA
每個通道的輸出電流: 30 mA
CMRR - 共模抑制比: 140 dB
en - 輸入電壓噪聲密度: 22 nV/sqrt Hz
封裝 / 箱體: SOIC-8
安裝風格: SMD/SMT
關閉: No Shutdown
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: AD8629
封裝: Tube
商標: Analog Devices
雙重電源電壓: 1.35 V to 2.5 V
高度: 1.5 mm
輸入電壓范圍—最大: 5 V
長度: 5 mm
最大雙重電源電壓: 2.5 V
最小雙重電源電壓: 1.35 V
工作電源電壓: 2.7 V to 5 V
產品: Precision Amplifiers
產品類型: Precision Amplifiers
PSRR - 電源抑制比: 130 dB
98
子類別: Amplifier ICs
類型: Chopper Stabilization
電壓增益 dB: 145 dB
寬度: 4 mm
單位重量: 540 mg
AD8629ARZ 除此之外，臺積電還宣布今年將3納米晶圓的產量擴大到每月約10萬片，這使得三星幾乎沒有趕上代工競爭對手臺積電的機會。
報道指出，三星電子在其第二代3納米GAA工藝上投入了更多精力，并在功耗、性能和邏輯區域方面進行了改進。
然而，這并沒有為三星吸引更多客戶。一份報告指出，要重新贏得像高通等先前的客戶認可，三星需要將良率提高到70%。而這些企業在可預見的未來將繼續選擇臺積電。
本月初，韓國媒體報道稱，三星電子已經通知客戶和合作伙伴，自今年年初起，將第二代3納米工藝改名為2納米工藝。
一位業內人士表示：“我們收到了三星電子的通知，他們正在將第二代3納米工藝更名為2納米工藝。去年簽訂的第二代3納米合同也同步轉為了2納米，因此我們近期需要重新簽訂合同。”
以下是現貨庫存，有需求請出TP
ADI LT3755EUD#TRPBF 5K
ADI LTC3588EDD-1#TRPBF 10K
ADI LT8330ES6#TRPBF 30K
ALTERA 5M570ZF256I5N 11668pcs
ALTERA 5M1270ZF256C5N 9684pcs
ALTERA EP3C25F324I7N 672pcs
ALTERA 5M1270ZF256I5N 2415pcs
RENESAS R7FA4M3AD3CFB#AA0 7140PCS
AD8629ARZ 近年來，端側（Ena-to-Ena）人工智能在智能手機市場上熱度很高為了實現大語言模型的端側運行，研究人員針對模型尺寸開展了多種研究眾所周知，輕量化服務的實現需要縮小存儲和內存的尺寸，提高帶寬。考慮到端側大語言模型服務未來的發展，現在就必須開始提升 UFS 接口速度。
三星正在研發一款新產品，這款產品使用 UFS 4.0 技術，但將通道數量從目前的 2 路提升到 4 路同時，預計 2025 年量產，順序讀取速度達到 8GB/s。三星稱，“提升順序讀取速度能夠縮短模型載入時間”。
