AM29F040B-90PI  Bluetooth SIG 會(huì)員 社區(qū)致力于提供創(chuàng)新產(chǎn)品，以提高Bluetooth? 技術(shù)的功能，并幫助形成新的市場(chǎng)趨勢(shì)。從無線音頻和可穿戴設(shè)備到資產(chǎn)跟蹤和電子貨架標(biāo)簽解決方案，Bluetooth SIG 會(huì)員 公司不斷滿足消費(fèi)者、商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的需求。

AM29F040B-90PI  2024 年Bluetooth? 市場(chǎng)更新》概述了對(duì)低功耗音頻 、Auracast? 部署以及從Bluetooth Classic Audio 向低功耗音頻 過渡的最新預(yù)測(cè)。報(bào)告還重點(diǎn)介紹了電子貨架標(biāo)簽 (ESL) 和環(huán)境物聯(lián)網(wǎng)等新的大容量市場(chǎng)的發(fā)展情況。我們很高興看到這些市場(chǎng)繼續(xù)發(fā)展。

2024Bluetooth? 市場(chǎng)更新》中的預(yù)測(cè)反映了眾多Bluetooth SIG 成員的不懈努力，他們正在開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品，創(chuàng)造一個(gè)更加互聯(lián)的世界。

AM29F040B-90PI   詳細(xì)參數(shù)

參數(shù)名稱 參數(shù)值
是否無鉛 含鉛 含鉛
是否Rohs認(rèn)證 不符合 不符合
生命周期 Obsolete
Objectid 1984725091
零件包裝代碼 DIP
包裝說明 PLASTIC, MO-015AP, DIP-32
針數(shù) 32
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8542.32.00.51
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 9.19
YTEOL 0
最長(zhǎng)訪問時(shí)間 90 ns
命令用戶界面 YES
數(shù)據(jù)輪詢 YES
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代碼 R-PDIP-T32
JESD-609代碼 e0
長(zhǎng)度 42.037 mm
內(nèi)存密度 4194304 bit
內(nèi)存集成電路類型 FLASH
內(nèi)存寬度 8
濕度敏感等級(jí) 3
功能數(shù)量 1
部門數(shù)/規(guī)模 8
端子數(shù)量 32
字?jǐn)?shù) 524288 words
字?jǐn)?shù)代碼 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作溫度 85 °C
最低工作溫度 -40 °C
組織 512KX8
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝代碼 DIP

封裝等效代碼 DIP32,.6
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 IN-LINE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流溫度（攝氏度） 260
編程電壓 5 V
認(rèn)證狀態(tài) Not Qualified
座面最大高度 5.715 mm
部門規(guī)模 64K
最大待機(jī)電流 0.000005 A
最大壓擺率 0.04 mA
最大供電電壓 (Vsup) 5.5 V
最小供電電壓 (Vsup) 4.5 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup) 5 V
表面貼裝 NO
技術(shù) CMOS
溫度等級(jí) INDUSTRIAL
端子面層 TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE
端子節(jié)距 2.54 mm
端子位置 DUAL
切換位 YES
類型 NOR TYPE
寬度15.24 mm

AM29F040B-90PI  計(jì)劃于2026年量產(chǎn)第10代NAND，并決定采用低溫蝕刻技術(shù)。該技術(shù)允許在更低溫的環(huán)境下進(jìn)行蝕刻，從而使存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元間的存儲(chǔ)通孔（memory hole）以更快的速度形成。

而這種效率的提升不僅可以減少生產(chǎn)時(shí)間，還能大幅提高單位時(shí)間的生產(chǎn)量。相比傳統(tǒng)的電漿蝕刻法，低溫蝕刻的加工速度提升了約4倍，標(biāo)志著存儲(chǔ)技術(shù)的一次重要革新。

2023年6月，Tokyo Electron成功開發(fā)出一種用于存儲(chǔ)芯片的通孔蝕刻技術(shù)。該設(shè)備可用于制造400層以上堆疊的3D NAND閃存芯片。TEL當(dāng)時(shí)表示，該技術(shù)首次將電蝕刻應(yīng)用帶入到低溫范圍中，產(chǎn)生了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)10μm深的高縱橫比(晶圓上形成的圖案的深度與寬度之比)蝕刻。

AM29F040B-90PI 目前，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)廠商都將采用低溫蝕刻設(shè)備。其中，三星電子正在通過進(jìn)口該設(shè)備的演示版本來評(píng)估相同的技術(shù)，而這些測(cè)試的結(jié)果將決定半導(dǎo)體制造中低溫蝕刻技術(shù)的未來采用和潛在的標(biāo)準(zhǔn)化。